আপনার দেশ বা অঞ্চল নির্বাচন করুন।

Close
প্রবেশ কর নিবন্ধন ই-মেইল:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

উপর SiC MOSFETs যোগ করা

অন ​​সেমিকন্ডাক্টর ইভিএস, সৌর ও ইউ.পি. অ্যাপ্লিকেশনগুলির লক্ষ্যে দুটি সিআইসি মোসফেট চালু করেছে।

শিল্প গ্রেড NTHL080N120SC1 এবং AEC-Q101 স্বয়ংচালিত গ্রেড NVHL080N120SC1 দ্বারা পরিপূরক হয়  SiC diodes এবং SiC ড্রাইভার, ডিভাইস সিমুলেশন সরঞ্জাম, SPICE মডেল এবং অ্যাপ্লিকেশন তথ্য।

অন ​​1200 ভোল্ট (ভি), 80 মিলিওহ্যাম (মি), সিআইসি মোসফেটগুলি কম লিকেজ বর্তমান, দ্রুত বিপরীত পুনরুদ্ধারের চার্জ সহ একটি দ্রুত অভ্যন্তরীণ ডায়োড, যা শক্তির ক্ষতি হ্রাস দেয় এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন এবং বৃহত্তর শক্তি ঘনত্ব সমর্থন করে এবং কম Eon সমর্থন করে। এবং Eoff / দ্রুত চালু এবং বন্ধ মোট ক্ষমতা হ্রাস এবং তাই শীতল প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করার জন্য কম এগিয়ে ভোল্টেজ সঙ্গে বন্ধ।


নিম্ন ডিভাইস ক্যাপ্যাসিট্যান্স খুব উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিগুলিতে স্যুইচ করার ক্ষমতা সমর্থন করে যা সমস্যাযুক্ত ইএমআই বিষয়গুলি হ্রাস করে; এদিকে, উচ্চ প্রসার, হিমবাহের ক্ষমতা, এবং শর্ট-সার্কিটগুলির বিরুদ্ধে দৃঢ়তা সামগ্রিকভাবে বর্ধিততা বৃদ্ধি করে, উন্নত নির্ভরযোগ্যতা এবং সামগ্রিকভাবে জীবনকালের প্রত্যাশা দেয়।

এসআইসি মোসফেট ডিভাইসগুলির আরও একটি সুবিধা একটি সমাপ্তির কাঠামো যা নির্ভরযোগ্যতা এবং অশান্তি যোগায় এবং কার্যক্ষম স্থায়িত্ব বাড়ায়।

NVHL080N120SC1 উচ্চ স্রোত স্রোত সহ্য করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং সংক্ষিপ্ত সার্কিটগুলির বিরুদ্ধে উচ্চ সঙ্কলন ক্ষমতা এবং দৃঢ়তা অফার করে।

এমওএসএফইটি এবং অন্যান্য সিআইসি ডিভাইসগুলির AEC-Q101 যোগ্যতা দেওয়া হয়েছে, নিশ্চিত করে যে তারা ক্রমবর্ধমান ইনকয়েরি অ্যাপ্লিকেশনগুলির ক্রমবর্ধমান সংখ্যায় ইলেকট্রনিক সামগ্রী এবং পাওয়ারব্রেইনগুলিকে বৈদ্যুতিকীকরণের ফলে ক্রমবর্ধমান ব্যবহার করতে পারে।

সর্বোচ্চ তাপমাত্রা 175 ডিগ্রী সেলসিয়াস ডিজাইনের সাথে সাথে অন্যান্য লক্ষ্য অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ততা বৃদ্ধি করে যেখানে উচ্চ ঘনত্ব এবং স্পেস সীমাবদ্ধতাগুলি সাধারণত পরিবেষ্টিত তাপমাত্রাগুলিকে ধাক্কা দিচ্ছে।